大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大(dà)安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国市场收(shōu)入(rù)从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式大(dà)和第三(sān)大(dà)供应商采购(gòu)金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名(míng)单，设备国产化进(jìn)程(ché三维向量叉乘公式矩阵，三维向量叉乘公式行列式ng)加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高(gāo)的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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