大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》等法律法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对(duì)美(měi)光公司产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢(de)产品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中衣服为什么晾完会臭，衣服为什么晾完会臭呢国(guó)市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了(le)长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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