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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对我国关键信容易吸引已婚男人的女人，哪些女人容易吸引已婚男人(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国(guó)市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国(guó)区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前容易吸引已婚男人的女人，哪些女人容易吸引已婚男人沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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