大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营(yíng)者(zhě)应(yīng)停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服(fú)务(wù)进入中国(guó)市(shì)场。

　　每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办src="http://getimg.jrj.com.cn/images/2023/05/weixin/one_20230521204212185.png">

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共和国(guó)网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品实施网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过(guò)美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提(tí)升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàn每天晚上都要弄我，天天晚上想弄我怎么办g)海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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