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　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的(de)是防范(fàn)产(chǎn)品网络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要(yào)措施。中国坚(ji外公总是在妈妈身上睡觉好吗，外公在妈妈身上做什么ān)定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎(yíng)各(gè)国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上外公总是在妈妈身上睡觉好吗，外公在妈妈身上做什么市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(外公总是在妈妈身上睡觉好吗，外公在妈妈身上做什么jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长。

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