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　　单反可以带上飞机吗ong>美光公(gōng)司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对(duì)美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公司产品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司(sī)产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安(ān)全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在单反可以带上飞机吗华销售的产品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三(sān)大供应商采购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或(huò)从中受益。存储器(qì)的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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