大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(独肖有哪几个guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　独肖有哪几个

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内(nèi)外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势(shì)，公司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存(cún)储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大独肖有哪几个量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到(dào) 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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