大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售的产品未通过(guò)网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要春夏秋冬春为首下联是什么，春夏秋冬春为首下联怎么对遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平(píng)台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办公室(shì)按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大(春夏秋冬春为首下联是什么，春夏秋冬春为首下联怎么对dà)、第二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受春夏秋冬春为首下联是什么，春夏秋冬春为首下联怎么对益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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