大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对(duì)美(měi)光(guāng)公(gōng)司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法(fǎ)作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的(de)运营者应停止采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商采购(张柏芝第三胎和谁生的，张柏芝第三胎和谁生的是谢贤吗gòu)金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受(shòu)到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者(zhě)沟(gōu)槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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