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料酒可以用白酒替代吗,料酒可以用白酒替代吗

料酒可以用白酒替代吗,料酒可以用白酒替代吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

  据网信(xìn)办消息,日前,网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患,对我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险,影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安(ān)全。为此,网络料酒可以用白酒替代吗,料酒可以用白酒替代吗(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá),目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全,是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng),只要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入(rù)中国市场。

  半导体(tǐ)突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  3月31日(rì),中国网信网发文(wén)称(chēng),为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安(ān)全,防(fá料酒可以用白酒替代吗,料酒可以用白酒替代吗ng)范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险,维护国(guó)家安(ān)全(quán),依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华(huá)人民(mín)共和(hé)国网(wǎng)络安全(quán)法》,网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美光公司(sī)(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

  半导体(tǐ)突发!中国(guó)出手:停止采购!

  美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

  美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供(gōng)应(yīng)优势,公(gōng)司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果(guǒ)美光在中国区销售受到限(xiàn)制,或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

  分析称(chēng),长存(cún)、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者(zhě)沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù),薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为(wèi)75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速,看好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相(xiāng)关(guān)公司份额提升(shēng),以及存储业(yè)务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)(清洗)等收入增长。

 

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