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　　美光公司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安全风险，影响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额(é)提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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