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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(中国的中西部地区是指哪几个省市，中国中西部是哪些地方duì)美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储中国的中西部地区是指哪几个省市，中国中西部是哪些地方晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhò中国的中西部地区是指哪几个省市，中国中西部是哪些地方u)，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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