大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设施n是什么化学元素，n是什么化学元素符号供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不n是什么化学元素，n是什么化学元素符号(bù)予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止(zhǐ)采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平(píng)台(tái)产品服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

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　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最(zuì)关键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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