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　　美光公司在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依(yī)法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题隐(太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风(fēng)险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全(quán)审查，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位p>

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯(xīn)片行太监割掉的是哪些部位，太监为什么割掉的是哪些部位业龙头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加(jiā)入(rù)美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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