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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大(dà)供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(y迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子uán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而(ér)采购国外(wà迪卡侬属于什么档次，迪卡侬哪个国家的牌子i)三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增(zēng)长。

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