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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按(àn)照《网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语)入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大(dà)供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下(xià)游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限制，或将有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语导致下(xià)游(yóu)客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAN有缘千里来相会,三笑徒然当一痴什么意思，三笑突然当一痴打一成语D Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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