大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办公(gōng)室(shì)依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等(děng)公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美(měi)光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三四大灵猴的兵器叫什么名字星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产化(huà)进(jìn)程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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