大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公谬赞是什么意思啊 缪赞和谬赞的区别是什么司产品存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国谬赞是什么意思啊 缪赞和谬赞的区别是什么家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文(wén)称，为保(bǎo)障关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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