大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护(h申请结尾的恳请语怎么写，特此申请的特是什么意思ù)国家(jiā)安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场(chǎng)收(shōu)入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导(dǎo)致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存(cún)、长鑫的(de)上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美(měi)国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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