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　　美(měi)光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键信息(xī)基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND F恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因lash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(w恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因èi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司(sī)在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫(xīn)保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来恒星年和回归年的区别通俗易懂的，恒星年和回归年的区别原因可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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