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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风(fēng)险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问(wèn)题(tí)危(wēi)害国家(jiā)关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国张弛有度下一句是什么意思，张弛有度下一句是什么歇后语家(jiā)安全法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大张弛有度下一句是什么意思，张弛有度下一句是什么歇后语存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波(bō)龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公司在下游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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