大(dà)家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安(ān)全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米>

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原(yuán)厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加入美一米等于多少微米等于多少纳米，一厘米等于多少微米国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存(cún)储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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