大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施(shī)安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

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　　3月31日，中国网(wǎng坡比1_1.5怎么计算坡长，坡度最简单的计算方法)信网发文(wén)称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhu坡比1_1.5怎么计算坡长，坡度最简单的计算方法ǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最(zuì)关(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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