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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按(àn)照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施安全(quán)，是维护(hù)国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网络(luò)安全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家安全(quán)法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显古巴人口和面积是多少，古巴多大面积和人口示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存古巴人口和面积是多少，古巴多大面积和人口储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前(qián)前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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