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　　美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查(ccpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的há)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的(zhào)《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国(guó)内(nèi)外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长期(qī)合约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售(shòu)受到(dào)限(xiàn)制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司cpb属于哪个档次的，cpb属于什么档次的份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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