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两害相权取其轻,两利相权取其重,两权相害取其轻正确说法是什么意思

两害相权取其轻,两利相权取其重,两权相害取其轻正确说法是什么意思 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消息,日(rì)前(qián),网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网(wǎng)络安全审查。

  审查(chá)发(fā)现,美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险,影响我国国家安全。为此,网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查(chá),目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全,是维护(hù)国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

  半导(dǎo)体突发!中国(guó)出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发(fā)文称,为(wèi)保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全,防范产品(pǐn)问(wèn)题隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险(xiǎn),维护国(guó)家(jiā)安全,依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

  半(bàn)导体突发!中国出手(shǒu):停止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约11%。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不是主要大(dà)供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng),采(cǎi)购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示,江波龙与(yǔ)三星、美光、西部(bù)数据(j两害相权取其轻,两利相权取其重,两权相害取其轻正确说法是什么意思ù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)两害相权取其轻,两利相权取其重,两权相害取其轻正确说法是什么意思长期(qī)合约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势,公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

  有券商此前就分析,如(rú)果美光在中国区销售受到限制,或将导致下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士,国内(nèi)长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

  分析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻(kè)到 60:1的深(shēn)孔,未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽,催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名(míng)单(dān),设备国产化进程加速,看(kàn)好拓荆科技(jì)(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额提升,以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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