大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光(guāng)公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高(gāo聚丙烯和聚乙烯有什么区别，二聚环戊二烯)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎(yíng)各国企业(yè)、各类平(píng)台产品服务(wù)进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰聚丙烯和聚乙烯有什么区别，二聚环戊二烯57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西(xī)部数(shù)据(jù)等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销售受到限制，或将导致(zhì)下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的聚丙烯和聚乙烯有什么区别，二聚环戊二烯加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储(chǔ)被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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