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　　美光(guāng)公司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息基(jī)础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数gōng)司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的(de)是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数储产(chǎn)业(yè)链上(shàng)下(xià)游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数(xīn)存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自(zì)长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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