大(dà)家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络(luò)安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查的(de)结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基础设(shè)施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法》，网络安(ān)弄死一只蜘蛛有啥后果，打死一只蜘蛛会引来很多蜘蛛吗全(quán)审查(chá)办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波(bō)龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市(shì)弄死一只蜘蛛有啥后果，打死一只蜘蛛会引来很多蜘蛛吗场的供应优势(shì)，公司也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储被(bèi)加入美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国(guó)产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相(xiāng)关(guān)公司份(fèn)额(é)提升，以及存储业(yè)务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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