大家好，来看一则突发消息(xī)。

　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在较(jiào)严(yáknow过去分词是什么写，know过去分词是什么词n)重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一know过去分词是什么写，know过去分词是什么词，2022年收入来自(zì)中国(guó)市(shì)场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露过(guò)美光等(děng)国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上(shàng)游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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