大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通(tōng)过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)吴亦凡真的在牢里吗，吴亦凡为什么被关进牢里strong>

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审(sh吴亦凡真的在牢里吗，吴亦凡为什么被关进牢里ěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人(rén)民(mín)共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储等(děng)公司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光(guāng)、西部(bù)数(shù)据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩(gǒng)固(gù)公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优(yōu)势(shì)，公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长。