大家(jiā)好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目(mù)的是(shì)防范(fàn)产品网络(luò)安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施(shī)安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；202日本比中国富裕吗，日本富裕还是中国富裕2年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国(guó)内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良好(hǎo)的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江(日本比中国富裕吗，日本富裕还是中国富裕jiāng)存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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