大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危(wēi)害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全的必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国市场(chǎng)收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股戊申年是哪一年上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等(děng)国际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第(dì)三大供应商采购金额(é戊申年是哪一年)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分(fēn)析(xī)，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受(shòu)到(dào)限(xiàn)制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已(yǐ)经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的(de)孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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