大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安全审(shěn)查(chá)

再婚的家庭一般过得好不好，再婚的家庭一般过得好不好生活　　据(jù)网信办消息(xī)，日前，网络安(ān)全审查办公室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查(chá)的(de)结论。按照《网络安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害(hài)国(guó)家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据再婚的家庭一般过得好不好，再婚的家庭一般过得好不好生活(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下(xià)降，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主(zhǔ)要大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一(yī)大(dà)、第二(èr)大和第三大(dà)供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì)，国内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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