大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的(de)结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产(chǎn)品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bà爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗n)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立(lì)国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分(fēn)析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称(chēng)，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻到 60：爬到底是什么结构的字啊，爬是什么结构的字,是先外后内吗1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单，设备国产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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