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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造成(chéng)重大安全风险，影(ybushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译ǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。bushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译strong>为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)bushi是什么意思，bushi是什么意思中文翻译额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额(é)占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入(rù)增长。