大家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信(xìn)办消息，日前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网络安全审查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi为什么复兴号很少人买)光公司(sī)产品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目(mù)的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施(shī)。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成(chéng)网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从(cóng)此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国(guó)际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；202为什么复兴号很少人买2年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务(wù)占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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