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　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品(pǐn)未通(tōng)过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络安全(quán)问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依法作出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关(guān)键信(xìn)息基础设施(shī)供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光等国际存(cún)储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立(lì)国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国乌克兰有中国人吗，在乌克兰的中国人安全吗内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司份额(é)提升，以及存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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