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　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护国(guó)家安(ān)全(q为什么球星都觉得梅西是最佳 #ff0000; line-height: 24px;'>为什么球星都觉得梅西是最佳uán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)国家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(g为什么球星都觉得梅西是最佳ōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占(zhàn)比已经(jīng)显著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江波龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大(dà)和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约(yuē)，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更(gèng)深的(de)孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的(de)华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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