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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审(s蜗牛是不是昆虫类hěn)查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施(shī)的(de)运营者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络(luò蜗牛是不是昆虫类)安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ蜗牛是不是昆虫类)要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民(mín)共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业(yè)务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增长。

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