大家好，来看一则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公(gōng)司在华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网(wǎng)络安全审查(chá)的结(jname是什么意思 name是姓还是名ié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者(zhě)应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球(qiú)存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年(nián)收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过(guò)美光等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显(xiname是什么意思 name是姓还是名ǎn)著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键(jiàn)、最大量的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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