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　　美光公司在华(huá)销售的(de)产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产(chǎn)品进行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依初中女生800米成绩对照表，中考女子800米标准时间法作出不(bù)予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美(měi)国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(初中女生800米成绩对照表，中考女子800米标准时间zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签(qiān)署了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或(huò)将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的(de)生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D N初中女生800米成绩对照表，中考女子800米标准时间AND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的(de)深孔，未来可能会更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉(chén)积(jī)设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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