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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公室依法对美光公司在(z银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄ài)华销售(shòu)产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过(guò)网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨(银耳越黄越好还是越白越好，干银耳为什么越放越黄jù)头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉(chén)积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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