大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对美(měi杏花代表十二生肖里的哪个动物呢，杏花是指十二生肖中什么动物)光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西(xī)部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较高的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增(zēng)长。

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