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　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)依法对美光公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查(chá)的结论。按(àn)照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护(hù)国家安全，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分(fēn)析，如果美(měi)光(guāng)在中国区(qū)销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存(cún)宝剑锋从磨砺出梅花香自苦寒来的意思是什么，宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒全诗储(chǔ)等竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备(bèi)需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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