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金地集团是国企还是民企,金地集团房地产排名

金地集团是国企还是民企,金地集团房地产排名 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美(měi)光公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查(c金地集团是国企还是民企,金地集团房地产排名há)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成重(zhòng)大(dà)安(ān)全风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此,网络安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī),我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

  此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全审查,目的(de)是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场。

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  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称(chēng),为(wèi)保障关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链安全,防范产品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风(fēng)险,维(wéi)护国家安全,依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华(huá)销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国(guó)出(chū)手:停止采购!

  美光是(shì)美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨(jù)头之一,2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(j金地集团是国企还是民企,金地集团房地产排名iāng)波龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司披(pī)露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显著下降,至少已经不(bù)是(shì)主要大供(gōng)应商。

  公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示, 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示,江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势,公(gōng)司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

  有券商此(cǐ)前就分(fēn)析,如果美光在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制,或将导致下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海力士,国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

  分(fēn)析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu),同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽(cáo),催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本(běn)开(kāi)支合计为75%。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān),设备国产化进程加速,看好拓荆科(kē)技(薄膜沉积)等相关公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业(yè)务占比较高的(de)华海清(qīng)科(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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